Microsoft Word - عربي.docx

النسخ

1 مهند عبدالحفيظ راجح جدعان اعضو هيي ة تدريس المعلومات الشخصية الجنسية الا ردنية تاريخ الميلاد القسم الفيزياء م البريد الجامعي الرسمي الهاتف الخاص بالمكتب المهارات اللغوية تحدث كتابة قراءة اللغة ممتاز ممتاز ممتاز العربية جيد جدا ممتاز ممتاز الانجليزية جيد جدا ممتاز ممتاز الروسية المو هلات العلمية والشهادات (بدءا من الا حدث) العنوان مكان الصدور الشهادة الا كادميية التاريخ بيلاروسيا (روسيا البيضاء) مينسك جامعة بيلاروسيا الحكومية- كلية الفيزياء- قسم أشباه الموصلات وال عوازل حاليا : قسم أشباه الموصلات والنانو دكتوراه PhD) ( م الكترونيكس بيلاروسيا (روسيا البيضاء) مينسك جامعة بيلاروسيا الحكومية- كلية الفيزياء- قسم أشباه الموصلات وال عوازل حاليا : قسم أشباه الموصلات والنانو ماجستري( MSc ) وبكالوريوس (BSc) م الكترونيكس مولدافيا كشنيوف جامعة مولدوفا سنة تحضريية ولغة م عنوان بحث كل من الدكتوراه والماجستري والزمالة الدكتوراة الماجستري السجل المهني (بدءا من الا حدث) Watkins Substitution and Diffusion of Implanted Impurities in Silicon The Effect of Radioactive Defects on the Activation and Diffusion of Implanted Impurities in Silicon التاريخ مكان وعنوان جهة العمل رتبة الوظيفة # 206/09/3 م- لغاية الا ن المملكة العربية االسعودية (الدمام) جامعة الدمام (كلية العلوم- قسم الفيزياء) أستاذ

2 4 التاريخ مكان وعنوان جهة العمل رتبة الوظيفة # جامعة الطفيلة التقنية (كلية العلوم- قسم الفيزياء التطبيقية) 204/04/07 م- 2 أستاذ 206/09/2 م جامعة الطفيلة التقنية (كلية العلوم- قسم الفيزياء التطبيقية) 203/2/04 م- 3 أستاذ مشارك " أ " 204/04/06 م 5 أستاذ مشارك 6 أستاذ مشارك " ب " أستاذ مشارك " ب " (عميد كلية العلوم) أستاذ مساعد " أ " جامعة الطفيلة التقنية جامعة جازان كلية العلوم قسم الفيزياء المملكة العربية السعودية جامعة الطفيلة التقنية (كلية العلوم- قسم الفيزياء التطبيقية) جامعة الطفيلة التقنية (كلية العلوم- قسم الفيزياء التطبيقية) جامعة البلقاء التطبيقية (كلية الطفيلة الجامعية التطبيقية- داي رة العلوم) (ألسلط) 20/09/04 م- 203/09/0 م 2006/09/8 م- 20/02/22 م ري يس وحدة البحوث في مركز البحوث: 0 / 2007/09 م- 2008/09/0 م 2005/0/8 م- 204/04/06 م -2005/07/0 2005/0/7 م. -200/09/04 7 أستاذ مساعد " ب " "ري يس داي رة العلوم" /09/0 م جامعة البلقاء التطبيقية (قسم العلوم الا ساسية) (ألسلط) جامعة صنعاء كلية العلوم قسم الفيزياء الجمهورية اليمنية (صنعاء) جامعة العلوم التطبيقية الخاصة كلية العلوم الا ساسية قسم الفيزياء (عمان) جامعة التحدي (جامعة مصراته حاليا ) كلية العلوم مبصراته قسم الفيزياء ليبيا 2000//0 م- 2003/0/9 م 999 م- 0/0/ 2000/09/29 م 9 أستاذ مساعد " ب " 0 أستاذ مساعد "أمني سر مجلس قسم الفيزياء" أستاذ مساعد" ب " 996/09/4 م 999/09/4 م 995\09\4 996/09/3 م 2 محاضر

3 المناصب الا دارية (بدءا من الا حدث) التاريخ المكتب المنصب الا داري (20-203) (جامعة عميد كلية العلوم وري يس مجلس كلية العلوم جامعة الطفيلة التقنية حكومية اردنية) ( ) (جامعة حكومية ري يس وحدة البحوث في مركز البحوث جامعة جازان سعودية) ( ) (جامعة حكومية ري يس داي رة العلوم جامعة البلقاء التطبيقية اردنية) ( ) أمني سر مجلس قسم الفيزياء جامعة صنعاء (جامعة حكومية مينية) ( ) ري اسة وعضوية العديد من اللجان الاكادميية والعلمية والبحثية والتا ديبية ( ) تدريس العديد من المواد في الفيزياء الا نجازات العلمية الا بحاث العلمية المنشورة (بالتسلسل الزمني بدءا من الا حدث) # أسامء الباحثني عنوان البحث جهة النشر وتاريخ النشر Ukrainian Journal of Physical Optics, Light Quenching Effects at High M. Jadan Fab 0, 204, Volume 5, Issue, pp Saturation Conditions 38-45, Institute of Physical Optics of the Ministry of Education and Science of Ukraine, Lviv, Ukraine Ukrainian Journal of Physical Optics, Jan 0, 204, Volume 5, Issue, pp 7-23, Institute of Physical Optics of the Ministry of Education and Science of Ukraine, Lviv, Ukraine Physics of the Solid State. February 203 Vol. 55, Issue 2, pp , Springer-USA,MAIK Nauka/ Interperiodica-Russian Federation Journal of Applied Spectroscopy, September 202, Volume 79, Issue 4, pp , Springer New York LLC, New York-USA Mode Hopping and Carrier Density Fluctuations in Semiconductor Lasers Localization of carbon atoms and extended defects in silicon implanted separately with C + and B + ions and jointly with C + and B + ions Point model for describing the polarization parameters of a singlemode semiconductor laser M. Jadan and V.B. Odzhaev 3 M. Jadan, L.I. Burov, and A.S. Gorbatsevich 2 4 Russian Microelectronics, Vol. 4, Issue 2, pp (85-90), March, 202, Springer- USA,MAIKNauka/Interperiodica- Russian Federation Influence of Radiation Defects on Diffusion of Arsenic and Antimony in Implanted Silicon and V.Yu. Yavid 5

4 جهة النشر وتاريخ النشر عنوان البحث أسامء الباحثني # L I. Burov, A.S. Gorbatsevich, M. Jadan, V.V. Sherstnev, and Yu.P. Yakovlev 6 Journal of Applied Spectroscopy, November 20, Vol. 78, Issue 5, pp ( ), Springer New York LLC,New York -USA Journal of Applied Spectroscopy, 7 March 200, Vol. 77, Issue, pp (65-72), Springer New York LLC, New York -USA Journal of Applied Spectroscopy, September 2009,, Vol 76, Issue 5, pp ( ), Springer New York LLC, New York USA American Journal of Applied Sciences,6 (6): , 2009, Science Publications, New York-USA Journal of Applied Sciences 7(22): , 2007, Asian Network for Scientific information, New York- USA American Journal of Applied Sciences 2(4): , 2005, Science Publications, New York-USA American Journal of Applied Sciences 2(4):90-93, 2005, Science Publications, New York-USA American Journal of Applied Sciences 2(4): , 2005, Science Publications, New York-USA American Journal of Applied Sciences, 2(4): , Science Publications, New York-USA Effect of Diffusion and Fluctuations in the Nonequilibrium Charge Carrier Density on the Angular Distribution of the Output Intensity for Injection Lasers Based on An InAsSb/ InAsSbP Heterostructure Dynamics of Polarization Switching in Single-Mode Injection Semiconductor Lasers Polarization Switching in Single-Mode Injection Semiconductor Laser Model of High-Temperature Diffusion of Interstitial Silicon Atoms in Silicon Saturation Processes in Principal Channel of Dye Solutions with Coincident Absorption and Emission Bands-Part II Residual Defects in Silicon Implanted with Boron and Phosphorous Ions Displacement of Boron from the Silicon Crystal Nodes by Interstitial Si Atoms During Implantation and Annealing Localization of Implanted Impurities in Silicon Control of Oxygen Concentration by Using a Carbonaceous Substance M. Jadan, L.I. Burov, A.S. Gorbatsevich and E.S. Sokolov M. Jadan, L.I. Burov, A.S. Gorbatsevich and E.S. Sokolov and V. Yu. Yavid 9 Jihad S.M. Addasi, Mohanad Jadan and Saleh A. Abushendi M. Jadan and V.Yu. Yavid M. Jadan and Jihad Said Addasi Mohanad Jadan and Jihad Said Addasi Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms,Volume 225, Issue 4, pages (56-520) 2004, Elsevier-Science Direct, North-Holland. Physica Status Solidi (b),v. 89, Issue, K-K4 (995), Inter science-berlin, Germany. Efficiency of Formation of Radiation Defects in Silicon upon Implantation of Silicon and Phosphorus Ions Charge States of Interstitial Defects in Implanted Silicon and their Annealing Temperatures and V.Yu. Yavid M. Jadan, N. I. Berezhnov and A.R. Chelyadinskii 5 6 Nuclear Instruments and Methods in On the Problem of Watkins M. Jadan, N. I. Berezhnov 7

5 جهة النشر وتاريخ النشر عنوان البحث أسامء الباحثني # Physics Research Section B: Beam Substitution and Migration of Silicon and A.R. Chelyadinskii Interactions with Materials and Atoms in Silicon Atoms, Volume 73, Issue 3, Pages , March (993), Elsevier- Science Direct, North-Holland Patent N 0 564, Registration N 0 U March 5, 2002, Patent Agency of Belarusian State University-Scientific Research Department, Minsk-Belarus Patent N 0 559, Registration N 0 U March 5, 2002, Patent Agency of Belarusian State University-Scientific Research Department, Minsk-Belarus Calibrating Sample for Electron Paramagnetic Resonance Spectroscopy. Gas Analyzer M. Jadan, S.V. Adashckevich, V.F. Stelmakh, V.P. Strigutsky and L.V. Strigutsky M. Jadan, S.V. Adashckevich, N.M. Lapchuk, V.F. Stelmakh and L.V. Strigutsky 8 9 the 7-th International Conference in Interaction of radiation with solid, pages62-63,september (26-28) 2007 Proceedings of the International Symposium (ST, 97) in Ion Implantation of Science and Technology In Semiconductors, pages 4-8, January (22-24) 997 الا بحاث العلمية المقدمة لتحكيم المو مترات العلمية المتخصصة المو متر وتاريخ النشر عنوان البحث أسامء الباحثني # Influence of Radiation Oskar Khoce Araira Rivera, M. Defects on Diffusion of Jadan, A.R. Chelyadinskii Implanted Arsenic in Silicon Efficiency of Formation of Radiation Defects in Silicon upon Implantation of Silicon and Phosphorus Ions A.R. Chelyadinskii, M. Jadan and H.I. Haki Taher 2 Proceedings of the International Symposium (ST, 97) in "Ion Implantation of Science and Technology In On the Model of Ion- Implanted Phosphorus Diffusion in Si M. Jadan, Khaki Takher and A.R. Chelyadinskii 3

6 المو متر وتاريخ النشر عنوان البحث أسامء الباحثني # Semiconductors", pages.08-3, January (22-24) 997 Abstract of the First Conference in Materials Science- (CMS), pp7. November (-3) 997,. New Model of Athermal Movement of an Interstitial Si Atoms in Si M. Jadan 4 Abstract of X-th. International Conference in "Ion Implantation Technology", pages (3.85), June (3-7) 994,. On the Mechanism of Enhanced Diffusion of Implanted Boron in Silicon 5 Abstract of X-th. International Conference in "Ion Implantation Technology", pp.(3.84), June (3-7) 994 Charge States of Interstitial Defects in Implanted Silicon and their Annealing Temperatures N. I. Berezhnov, A.R. Chelyadinskii, M. Jadan 6 الا بحاث الحالية عنوان البحث أسامء الباحثني # M. Jadan and L.I. Burov, Spectral-polarization M. Jadan and L.I. Burov structure of the VCSEL output radiation in vicinity of the polarization switching point", Journal of Applied Spectroscopy, Springer New York LLC, New York-USA, 206, In Press M. Jadan and L.I. Burov, "Statistical properties of M. Jadan and L.I. Burov 2 the VCSEL output radiation in vicinity of the polarization switching point.. Influence of the spontaneous noise", Journal of Applied Spectroscopy, Springer New York LLC, New York- USA, 206, In Press M. Jadan and L.I. Burov, "Statistical properties of M. Jadan and L.I. Burov 3

7 the VCSEL output radiation in vicinity of the polarization switching point. 2. carrier and current noise", Quantum Electronic, Moscow Russian Federation, 206, In Press M. Jadan and L.I. Burov, "General method for lasing description inside semiconductor laser cavity", Quantum Electronic Moscow Russian Federation, 206, In Press M. Jadan and L.I. Burov 4 العضويات المشارك فيها أكادميية العلوم في نيويورك نيويورك الولايات المتحدة الامريكية اللجان التي اشتركت والمشترك بها: عضو اللجنة الاستشارية قسم الفيزياء-كلية العلوم- جامعة الدمام الدمام المملكة العربية السعودية ) م) عضو لجنة التطوير الا كادميي قسم الفيزياء-كلية العلوم- جامعة الدمام الدمام المملكة العربية السعودية ) م) عضو لجنة تقييم الاختبارات قسم الفيزياء-كلية العلوم- جامعة الدمام الدمام المملكة العربية السعودية ) م) عضو لجنة اعتامد المجلات والمو مترات العلمية في الجامعة جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( م) عضو المجلس التا ديبي الاستي نافي لا عضاء هيي ة التدريس في الجامعة جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( م) عضو مجلس البحث العلمي والدراسات العليا في الجامعة جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( م) قاي م با عامل عميد كلية العلوم جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( م). مدير وحدة البحوث مبركز البحوث جامعة جازان جازان المملكة العربية السعودية ( م) ري يس داي رة العلوم جامعة البلقاء التطبيقية كلية الطفيلة الجامعية التطبيقية الطفيلة ( م). عضو مجلس عمداء جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( م). عضو لجنة التعيني والترقية في مجلس العمداء جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( م). عضو مجلس جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( م). عضو لجنة الخطة الا ستراتيجية جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( م). عضو المجلس العلمي جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( م). ري يس مجلس كلية العلوم جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( م). عضو لجان متخصصة للنظر في ترقيات أعضاء هيي ة التدريس في الجامعة للترقية الى رتب أستاذ مشارك وأستاذ جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( م). عضو المجلس التا ديبي الا بتدايئ لا عضاء هيي ة التدريس جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( م). عضو المجلس التا ديبي الا ستي نافي لا عضاء هيي ة التدريس جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( ). ري يس وعضو للعديد من لجان التحقيق مع أعضاء هيي ة التدريس جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( م). ري يس المجلس التا ديبي للطلبة جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( م). عضو في لجان التحقيق الخاصة في الجامعة جامعة الطفيلة التقنية الطفيلة ( م). ري يس وعضو للعديد من لجان مناقشة رساي ل الدراسات العليا التي متت الدعوة لمناقشتها في العديد من الجامعات الا ردنية والعربية.( م). مقيم خارجي لترقيات أعضاء هيي ة التدريس في الجامعات العربية. ري يس وعضو العديد من اللجان الا كادميية في الكلية والقسم أنشطة التدريس الجامعية في الجامعة: # المقرر رقم المقرر مجال المساهمة 36 ساعة تدريس/ وتطوير المقرر -203N PHYS بصريات/ 36 ساعة تدريس/ وتطوير المقرر 307N- PHYS الكترونيات/ 2

8 وصف مختصر لمقررات المرحلة الجامعية التي تم تدريسها في الجامعة (عنوان المقرر- رقم المقرر: شرح المقرر) بصريات/ : البصريات الهندسية: الا شعة الضوي ية والظل الانعكاس والمرآيا المستوية: الصورة المتكونة بواسطة المرا يا الم ستوية المرا يا المنحن ية: المرا يا الكرو ية اللامة المرايا الكروية المشتتة الانكسار وقانون سنيل: مبدأ فريمات العد سات: العد سات اللا مة العد سات الم شتتة معادلات العد سات الم كبرات الا نظ مة المتكو نة من إث نني أو أ كرث من الع ناصر الب صرية ال عني الب شرية ال كامريا الميكروسكوب التليسكوب الليزرات البصريات الموجية: مقدمة في البصريات الموجية: التدخل الحيود والاستقطاب الكترونيات/ : خواص التيار الكهربايئ المتردد عناصر وخواص بعض دواي ر التيار المتردد القوانني الا ساسية في دواي ر التيار الم ستمر ب عض طرق تحل يل ال شبكات الكهرباي ية خواص أشباه الموصلات مبدأ عمل الثنايئ الالكتروين وتطبيقاته تركيب الترانزستور BJT 2 الدراسات العليا في الجامعة: مجال المساهمة رقم المقرر المقرر # 26 ساعة تدريس تطوير المقرر PHYS 547- فيزياء المواد/ وصف مختصر لمقررات المرحلة الجامعية التي تم تدريسها في الجامعة (عنوان المقرر- رقم المقرر: شرح المقرر) فيزياء المواد/ : البنية البلورية شبكة برافيه الروابط في المواد الصلبة نظرية الا لكترون الحر ديناميكية الشبيكة وحزم الطاقة الاهتزاز الفيزيايئ للشبيكة فيزياء أشباه الموصلات فيزياء المواد فاي قة الموصلية السعة الحرارية مناذج مختلفة الجهد الدوري 3 الجامعية خارج الجامعة: N o COURSES COURSES. Semiconductor Physics 20. General Physics (0) 2. Solid State Physics () 2. General Physics (02) 3. Optics 22. General Physics (03) 4. Medical Physics 23. Electric Circuits Lab. (I,II) 5. Electric Circuits I 24. Electricity and Electronics Lab. 6. Electricity and Electronics 25. General Physics Lab:(05,06,,2) 7. Electric Circuits II 26. Electrical Workshop 8. Analytical Mechanics 27. Projects and Training Supervision 9. Electromagnetic Theory 28. Techniques in physics Lab.

9 0. Electronics (,2) 29. Electronics Lab.. Digital Electronics 30. Properties of Matters Lab 2. Techniques in Physics 3. Optics Lab 3. Classical Mechanics 32. General Physics 0 -(PHYS 22) 4. AC Circuits 33. General Physics 02 -( PHYS0) 5. Electronic Circuits 34. General Physics 3 -(PHYS 203) 6. Thermodynamics 35. General Physics -(PHYS 099) 7. Mathematical Physics() 36. General Physics 0 -(PHYS 22) 8. Intermediate Physics Lab 37. Waves and Vibrations Lab 9 Atomic and Nuclear Physics Lab Material Physics- PHYS 547 Optics- PHYS 307. Membership on Examining Committees for Graduate Studies: مناقشة رساي ل طلبة الدراسات العليا: M.Sc. in Physics by Fairooz Al-Aga, Title of Thesis: Concentration of magnetic particles in Barium Ferrite systems containing Cobalt and Titanium, Al-al Bayt University, Jordan. M.Sc. in Physics by Saif Al-Dalaeen, 203. Title of Thesis: Influence of wavelength and Temperature Changes on Optical Properties of Liquids and Liquid Mixtures: Empirical Formulas, Mu, tah University, Jordan. M.Sc. in Physics by Mohammad Al-Dmour, 204. Title of Thesis: Physical Properties Empirical Relation and Thermal Gradient of Olive-Corn Oils Mixtures and Olive- Acetone Solutions, Mu, tah University, Jordan. M.Sc. in Physics by Abdulaziz Suayyem Alshrar,, 205 Title of Thesis: A Review of Constraints within the Canonical Hamiltonian Approach, Mu, tah University, Jordan. Professional Memberships (Academic Societies) An Active Member of New York Academy of Sciences ; (August,994 ). آخر تحديث:- 28/02/206